SEMILAB-全光譜橢偏儀GES5E
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：更新時(shí)間：2021-01-18 16:44
品 牌：型 號：SEMILAB-全光譜橢偏儀GES5E
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SEMILAB-全光譜橢偏儀GES5E
(Spectroscopic Ellipsometer)
SEMILAB成立于1989年，總部位于匈牙利布達佩斯，為生產(chǎn)、研發(fā)中心，客戶(hù)遍布全球。在歐洲、和亞洲主要******都設有分支機構, 在美***設有工廠(chǎng)和研發(fā)中心。SEMILAB擁有全球zui***的電學(xué)和光學(xué)表征技術(shù)，產(chǎn)品被廣泛應用于光伏、半導體、科研以及平板測試領(lǐng)域。憑借的測試設備，為客戶(hù)的生產(chǎn)和質(zhì)量監控提供***套完整的測試方案，在行業(yè)中始終處于領(lǐng)xian地位。
公司建成后迅速發(fā)展, 自2004年以來(lái)相繼收購了包括SemiTest、SSM、Sopra、QC Solution、AMS、SDI和Todival Solar在內的業(yè)內知名測試公司，同時(shí)囊獲了IBM的JPV、AMAT的Boxes Cross、以及德***Basler公司的zhuan li技術(shù)。
隨著(zhù)市場(chǎng)的不斷擴張，SEMILAB于2000年進(jìn)入中***市場(chǎng)，6年后成立代表處，并于2009年在上海成立全資子公司“瑟米萊伯貿易（上海）有限公司”。子公司成立以來(lái)，業(yè)務(wù)量發(fā)展迅猛，于2010年成立了TSS寄售維修中心，并于次年在無(wú)錫新增了售后服務(wù)中心，上海公司隨之成為亞洲的銷(xiāo)售及售后服務(wù)中心。公司秉承專(zhuān)ye、團隊、激情的文化理念，始終堅持為客戶(hù)提供*hao的測試方案和完善的售后服務(wù)。
產(chǎn)品描述
| GES5E全光譜橢偏儀基于橢圓偏振測試技術(shù)，采用的旋轉補償器，結合光纖專(zhuān)li技術(shù)將偏振光信號傳輸至分段光譜優(yōu)化的高分辨率單色儀或陣列式多通道攝譜儀，測得線(xiàn)偏振光經(jīng)過(guò)樣品反射后的偏振態(tài)變化情況，并通過(guò)樣品光學(xué)模型的建立，計算出單層或多層薄膜結構的厚度、折射率和消光系數，實(shí)現精確、快速、穩定的寬光譜橢偏測試。 |
| GES5E是Semilab針對科研院所和企業(yè)研發(fā)中心推出的多功能桌面 型旗艦產(chǎn)品。為了滿(mǎn)足科研院所及研發(fā)中心對于復雜薄膜材料和復雜多層薄膜結構的綜合型測試需求，GES5E采用了模塊化的設計，可自由組合多種掃描和真空變溫樣品臺，多種從135nm深紫外光譜至2400nm近紅外光譜的探測器，多種測試光斑尺寸，并可拓展FTIR紅外光譜測試模組、EPA薄膜孔隙率測試模組、渦電流法非接觸方塊電阻測試模組、Mueller Matrix各項異性材料測試模組、Raman結晶率測試模組、反射干涉測試模組、透射率和反射率測試模組等多種功能，為方便用戶(hù)合理配置，Semilab支持絕大部分模組的后續升***服務(wù)。 |
產(chǎn)品特點(diǎn)
| 業(yè)界第yi***光譜型橢偏儀測試設備廠(chǎng)商 |
| 業(yè)界標準測試機構定標設備，參與發(fā)布中華人民共和***橢圓偏振測試技術(shù)標準 |
| 非接觸、無(wú)損測試所測樣品無(wú)損傷的測量 |
| 業(yè)界*寬測試光譜范圍，選配135nm-25um，并可自動(dòng)切換快速探測模式和高精度探測模式 |
| 測試功能延展性強，并支持后續升***服務(wù) |
| 定期免費升***SOPRA材料數據庫 |
| 開(kāi)放光學(xué)模型擬合分析過(guò)程，方便用戶(hù)優(yōu)化測試菜單 |
主要應用
| 光伏行業(yè)：晶硅電池減反膜、薄膜電池透明導電膜、非晶硅微晶硅薄膜電池、CIGS薄膜電池、CdTe薄膜電池、有機電池、染劑敏感太陽(yáng)能電池 |
| 半導體行業(yè)：High-K、Low-K、金屬、光刻工藝、半導體鍍膜工藝、外延工藝 |
| 平板顯示行業(yè)：TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色濾光片 |
| 光電行業(yè)：光波導、減反膜、III-V族器件、MEMS、溶膠凝膠 |
主要技術(shù)指標
| 測試速度：＜1 sec （快速測試模式）
＜120 sec （高分辨率測試模式） |
| 測量光譜分辨率：＜0.5nm@633nm （高分辨率測試模式）
＜0.8nm@633nm （快速測試模式） |
| 樣品尺寸： 300mm |
| 厚度測量范圍：0.01nm-50um |
| 厚度測試精度：0.02nm @120nm SiO2 on Si |
| 折射率測試精度：0.002 @120nm SiO2 on Si |
滬公網(wǎng)安備31011502016460號
