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MAIA3 model 2016

為超高分辨新開(kāi)發(fā)的電子光學(xué)系統

MAIA3 model 2016產(chǎn)品是***款具有超高表面靈敏度的高分辨掃描電子顯微鏡，在不同加速電壓下均有著(zhù)出色的成像能力。MAIA3 model 2016在低電壓下也有極好的性能，尤其對電子束敏感的半導體器件樣品以及納米材料等都具有優(yōu)異的表面靈敏度及高空間分辨率。全新的MAIA3也非常適合研究不導電試樣如原始狀態(tài)的生物樣品。

主要特點(diǎn)：

Triglav^TM——新開(kāi)發(fā)的超高分辨電子光學(xué)鏡筒并配備TriLens^TM物鏡及的探測系統

• 超高分辨率物鏡（60度浸沒(méi)式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無(wú)漏磁分析物鏡，重新設計用于超大視場(chǎng)觀(guān)察的中間鏡。

• 獨特的電子束無(wú)交叉模式與超高分辨率物鏡相結合，獲得了卓越的成像性能

• 傳統的TESCAN大視野光路設計提供各種工作和顯示模式

• 全新的EquiPower™技術(shù)進(jìn)***步提高電子束的穩定性

• 新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流高達400nA并能實(shí)現電子束能量的快速改變

• 通過(guò)擴展樣品室和專(zhuān)用支架能達到12”晶圓的SEM觀(guān)察

• 的TriBETM技術(shù)具有三個(gè)BSE探測器，可以選擇不同角度的信號進(jìn)行采集。位于鏡筒內部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測器，用于檢測中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測器用于探測大角度范圍的背散射電子。并且這三個(gè)探測器能探測到低于200eV的低能背散射信號，綜合在***起，他們可以提供各種不同襯度的圖像

• 的TriSE^TM技術(shù)具有三個(gè)SE探測器，對所有工作模式下采集二次電子信號都進(jìn)行了優(yōu)化。位于鏡筒內部的In-Beam SE探測器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測器能提供*佳的形貌襯度

• 電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）

• 的電子束實(shí)時(shí)追蹤技術(shù)可對電子束實(shí)現實(shí)時(shí)優(yōu)化

• 擴展的低真空模式樣品室氣壓能達到500Pa，可用于不導電樣品的成像

超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV

浸沒(méi)式物鏡系統和無(wú)交叉電子束模式結合在***起，可在低能量下實(shí)現超高分辨成像。浸沒(méi)式物鏡能在樣品周?chē)a(chǎn)生強磁場(chǎng)，顯著(zhù)降低了像差。而無(wú)交叉電子束模式則降低了Boersch效應，對電子束進(jìn)行進(jìn)***步的優(yōu)化，*終達到1.0nm @1keV的超高分辨率。

低電壓和超低電壓成像

電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式（BDM），以及在這個(gè)模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號的高質(zhì)量的透鏡內探頭。在電子束減速模式下，通過(guò)加在樣品臺上的負偏壓使得電子束在作用到樣品表面前降低能量。的著(zhù)陸電壓可以降低到50eV(在手動(dòng)控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變，增強了電子鏡筒的性能，因而在低電壓下可以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀(guān)察不導電樣品成像時(shí)出現的放電效應，也有利于對那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的觀(guān)察。在這個(gè)模式下，可以達到對于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。

應用

MAIA3 model 2016非常適合非導電樣品和電子束敏感樣品的成像，如各種原始狀態(tài)的生物樣品。MAIA3 model 2016能獲得高靈敏的表面形貌，其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個(gè)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域*佳的SEM系統選擇。

材料科學(xué)

MAIA3 model 2016在低電壓下有著(zhù)很好的分辨率，對納米材料的表征有著(zhù)極大的優(yōu)勢。尤其適合各種敏感材料和不導電材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纖維等）。

半導體，光電和太陽(yáng)能電池

MAIA3 model 2016能被高效地應用于半導體工業(yè)的失效分析中（集成電路，半導體超薄切片檢測，太陽(yáng)能電池，納米傳感器等）

光刻

擁有超高分辨率的MAIA3 model 2016在電子束刻蝕領(lǐng)域也是個(gè)強大的工具。而且MAIA3 model 2016非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。

生命科學(xué)

低電壓下?lián)碛谐叻直媛实腗AIA3 model 2016能不需要鍍導電膜進(jìn)行樣品在原始狀態(tài)下的觀(guān)察。