ZEISS GeminiSEM 500場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
價(jià) 格:詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地:更新時(shí)間:2021-01-18 15:03
品 牌:型 號:GeminiSEM 500
狀 態(tài):正常點(diǎn)擊量:2645
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GeminiSEM 系列產(chǎn)品
高對比度、低電壓成像的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
為對任意樣品進(jìn)行高水準的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率,能夠輕松地實(shí)現亞納米分辨成像。無(wú)論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細節信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時(shí)都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究、生命科學(xué)研究、工業(yè)實(shí)驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類(lèi)型樣品在微觀(guān)世界中清晰、真實(shí)的圖像,提供靈活、可靠的場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在較低的加速電壓下仍可呈現給您更強的信號和更豐富的細節信息,其創(chuàng )新設計的NanoVP可變壓力模式,甚至讓您在使用時(shí)擁有在高真空模式下工作的感覺(jué);
更強的信號,更豐富的細節
GeminiSEM 500 為您呈現任意樣品表面更強的信號和更豐富的細節信息,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時(shí)快速地獲取更高清晰度的圖像。
經(jīng)優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號,助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;
在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度,二次電子圖像分辨率1 kV達0.9nm,500 V達1.0 nm,無(wú)需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像,為您呈現任意樣品在納米尺度上更豐富的細節信息;
應用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel),可在1 kV下獲得高達0.8nm二次電子圖像分辨率;
創(chuàng )新設計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù),讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺(jué)。
洞察產(chǎn)品背后的科技
Gemini電子光學(xué)系統
Gemini 1類(lèi)型鏡筒 -延續創(chuàng )新和發(fā)展
如今,掃描電子顯微鏡(SEM)在低電壓下的高分辨成像能力,已成為其在各項應用領(lǐng)域中的標準配置。
低電壓下的高分辨率成像能力,在以下應用領(lǐng)域中扮演著(zhù)尤為重要的角色:
電子束敏感樣品
不導電樣品
獲取樣品極表面的真實(shí)形貌信息
Gemini的革新電子光學(xué)設計,應用高分辨率電子槍模式、Nano-twin lens物鏡(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel樣品臺減速技術(shù)(選配),有效提高了在低電壓時(shí)的信號采集效率和圖像襯度。
高分辨率電子槍模式:
縮小30%的出射電子束能量展寬,有效地降低像差;
獲得更小的束斑。
優(yōu)化靜電場(chǎng)和磁場(chǎng)的復合功效,在低電壓下具有的更高的分辨率;
提高鏡筒內Inlens探測器在低電壓下的信號采集效率。
技術(shù)參數:
基本規格 | 蔡司 GeminiSEM 500 |
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| 熱場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)€定性?xún)?yōu)于0.2 %/h
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加速電壓
| 0.02 - 30 kV |
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探針電流
| 3 pA - 20 nA |
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(100 nA配置可選)
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存儲分辨率
| 達32k × 24k 像素 |
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放大倍率
| 50 C 2,000,000 |
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標配探測器
| 鏡筒內Inlens二次電子探測器
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樣品室內的Everhart Thornley二次電子探測器
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可選配的 項目
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NanoVP可變壓力模式 |
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中)
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局部電荷中和器 鏡筒內能量選擇背散射探測器 環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4) EDS能譜儀 EBSD探測器(背散射電子衍射) |
可訂制特殊功能樣品臺 |
環(huán)形背散射電子探測器 |
陰極射線(xiàn)熒光探測器 |