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Vion Plasma FIB 儀器

價(jià)  格：詢(xún)價(jià)

產(chǎn)  地：美國更新時(shí)間：2020-11-25 14:52

品  牌：FEI型  號：Vion Plasma

狀  態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2198

400-006-7520
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上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

聯(lián) 系 人： 上海非利加實(shí)業(yè)有限公司

電   話(huà)： 400-006-7520

傳   真： 400-006-7520

配送方式： 上海自提或三方快遞

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Vion PFIB 是***款具有高精度、高速度切割和銑蝕能力的儀器。 其具有選擇性銑蝕所關(guān)注區域的能力。 此外，PFIB 可以選擇性沉積帶圖案的導體和絕緣體。 高速銑蝕和精密控制的結合可確保該系統以多種方法應用于集成電路的制造，如：


凸起物、焊線(xiàn)、TSV 和晶片堆疊失效分析

手術(shù)刀般移除封裝和材料，實(shí)現嵌入芯片塊的失效分析和故障隔離

適用于封裝***流程監控和開(kāi)發(fā)

封裝部件和 MEMS 設備的缺陷分析

> 下載 Vion 等離子 FIB 數據表

借助較傳統鎵離子 FIB 快 20 倍的銑蝕速度提高生產(chǎn)效率

? 快速精確的橫截面操作可揭示缺陷和表面下方特征

? 銑蝕和成像射束電流變化范圍寬廣（從數 pA 至 1 μA 以上）

? 使用沉積化學(xué)來(lái)保護表面特征

? 可選的電荷中和器功能可實(shí)現對帶電結構進(jìn)行切片

? 可選的背面硅使用、專(zhuān)利同軸氣體輸送噴嘴

? 通用硬件和軟件架構以及其他 FEI FIB、SEM 和 DualBeam 儀器



產(chǎn)品參數


Vion 等離子聚焦離子束 
離子源Xe+ 電感耦合等離子 (ICP)
加速 電壓2 - 30 kV
束電流1.5 pA - 1.3 μA
圖像分辨率< 30 nm
樣品臺5 軸電動(dòng)同心
X、Y 移動(dòng) 150 mm
傾角 -10° - 60°
360° 旋轉
操作系統基于 Windows?



產(chǎn)品介紹



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