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霍爾效應測量系統

主要特點(diǎn)：

電阻率Rho測量；
霍爾系數RH測量；
V-I曲線(xiàn)測量；
VH電壓測量；
載流子濃度測量；
載流子遷移率測量；
載流子形式測量（n or p）;
磁電阻等；

獨*有的非線(xiàn)性電壓補償功能；
磁場(chǎng)大小可調；
自動(dòng)磁場(chǎng)校準；
低溫選件：77K；
Van der Pauw和橋式barshape測量；

霍爾效應測量系統

技術(shù)參數：
電流源: 
測量范圍: 1nA - 10 mA 
輸出電壓:  /- 10V ( /-20V) 
輸出電阻: typical 1013 Ohms 
電流分辨率: 25 pA

電壓測量：
測量范圍: 10 mV - 10V（自動(dòng)量程選擇）
分辨率 :<500nV
輸入電阻: > 1013 Ohms

磁場(chǎng)范圍：0.45T~2T（牛津磁體）；

電阻測量范圍: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm
電阻率測量范圍: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm
載流子濃度范圍: 107 cm-3 - 1021 cm-3

霍爾效應測量系統

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 : 精密霍爾效應測量系統，廣泛應用于半導體材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可對多種重要物理參量如：電阻率、霍爾系數、載流子濃度、遷移率、磁電阻和V-I曲線(xiàn)等測量和分析；可測試材料: 半導體材料：包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,磚石鐵,氧體材料; 低阻材料：包括金屬、透明氧化物、稀磁半導體器件和TMR材料 高阻材料：包括半導體絕緣材料、GaAs、GaN、CdTe和光電探測器